MRFG35003ANT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single-Carrier W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
32
4
18
16
0
60
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
14
10
40
8
30
6
20
20
10
22 24 26 28
Gps
ΓS
= 0.833
?108.2, ΓL
= 0.698
?151.1
32
?60
?10
18
?30
?5
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
?30
?40
?50
?15
20
?10
22 24 26
ηD
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS
= 0.833
?108.2, ΓL
= 0.698
?151.1
NOTE:
All data is referenced to package lead interface. ΓS
and
ΓL
are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
12
30
50
?20
28 30
?20
?25
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